Сучасні тенденції розвитку електроніки направлені на підвищення швидкодії комп’ютерів і освоєння нових інформаційних технологій, покращення якості зв’язку і передачі інформації, підвищення надійності локаційних засобів і вирішення усе нових технічних проблем за допомогою електронної техніки. Такі завдання вимагають відповідних швидкостей роботи активних електронних компонентів, що у свою чергу змушує використовувати для їх створення як нові матеріали так і усе більш тонкі фізичні ефекти. Крім того, цілком природним і необхідним виглядає і перехід від мікрометрових характерних розмірів приладів до нанометрових, які освоюються сучасною технологією. При таких розмірах все помітніше проявляються квантові ефекти, які можуть бути використані для створення принципово нових приладів.
Унікальність поданого на конкурс навчального посібника полягає в тому, що у ньому вдалося органічно поєднати та системно описати усі три зазначених способи досягнення прогресу надшвидкодіючих приладів електроніки. Окрім традиційних надшвидкодіючих приладів розглядаються компоненти, які лише нещодавно увійшли до промислового вжитку: гетероструктурні польові транзистори, резонансно-тунельні діоди, а також перспективні нанокомпоненти, в тому числі ті, що містять в активній частині графен, нанотрубки, тощо.
Навчальна література, особливо призначена для магістрів, не може залишатися в стороні від рівня і тенденцій розвитку електроніки. Даний навчальний посібник є спробою відстежити ці тенденції і дати майбутнім фахівцям з мікро- і наноел
ектроніки основи знань, необхідних для розуміння фізичних процесів, особливо динамічних, що відбуваються в сучасних приладах. Автори, наслідуючи принцип «пізнання через моделювання», включили в даний посібник матеріал, заснований на власному досвіді моделювання. Цей досвід здобувався у багаторічній творчій співпраці з науковими та науково-виробничими колективами: НДІ “Сатурн”, НВО ім. Корольова С.П., НДІ фізики напівпровідників, інститут кібернетики та ін. Тому, природно, що перелік розглянутих приладів не може бути повним. І тільки в деяких випадках для повноти огляду використовувалися роботи інших авторів. Поданий посібник містить посилання як на класичні фахові публікації, так і на останні здобутки, що опубліковані у провідних вітчизняних та зарубіжних виданнях.
Зміст навчального посібника відповідає назві і виду видання, робочій навчальній програмі однойменної дисципліни, цільовому призначенню та вимогам, які пред’являються до навчальної літератури.
Навчальний посібник з дидактичної точки зору є дуже привабливим. У перших розділах описано моделі електронного переносу та розігрівання в сильному електричному полі, а також фізичні властивості важливих напівпровідникових матеріалів, а у подальших розділах ці знання використовуються для аналізу конкретних приладів. Стиль викладення адаптовано до рівня знань, якими мусить володіти магістр електроніки.
Ілюстративний матеріал виконаний на високому професійному рівні, усі ілюстрації вдало доповнюють текстовий матеріал та поліпшують його сприйняття.
Навчальний посібник за своїм характером не має аналогів серед вітчизняної літератури. Більшість матеріалу навчального посібника було представлено лише у вигляді неадаптованих для навчання студентів публікацій у наукових виданнях. У посібнику ж в основному проведена систематизація та адаптація власних досягнень самих авторів, а також світової науки в цілому з питання надшвидкодіючих приладів. Таким чином, подана робота ні в якому разі не дублює, а вдало доповнює чи систематизує існуючі роботи, робить їх прийнятними для розуміння студентами.
Рекомендована авторами література підібрана таким чином, що в системоутворюючих питаннях даються посилання на вітчизняні класичні джерела, які добре себе зарекомендували та широкодоступні, а в нових питаннях – на публікації в іноземних виданнях. Таким чином, створюється максимальний комфорт для читача, що бажає докладніше ознайомитися з досягненнями у даній галузі знань.